2020年4月15日
封装和换能器的联合仿真
发表的克里斯Welham 在2020年4月15日
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尖端MEMS过程、器件和仿真技术:IEEE MEMS 2020年会综述

IEEE MEMS大会于2020年1月在温哥华举行。我们参加了这次会议，与我们的客户见面，看看有什么新的发展[.．.]
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2019年12月16日
图3。对基底结构进行蚀刻的结果(b，中间)。基底结构显示了预期的蚀刻结果，而初始开口较大的结构(c，右)在结构底部有意想不到的拓扑结构。较小的开口和较高的楼梯形状的结构(a，左)在完成模型的蚀刻过程时，经历了减小的最终蚀刻开口和蚀刻深度(与基础结构(b)相比)。
发表的Jeonghoon金 在2019年12月16日
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半导体过程建模导论:过程规范和规则验证

半导体工艺工程师希望开发出成功的工艺配方，而无需重复晶圆测试的臆测。不幸的是，开发一个成功的流程离不开一些工作。这个博客[.．.]
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2019年7月31日
狭缝和沟道孔在不同节点的俯视图
发表的玉德陈 在2019年7月31日
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3D NAND器件的高级模式设计技术

在摩尔定律的驱动下，存储和逻辑半导体制造商追求更高的晶体管密度，以提高产品成本和性能[1]。在NAND闪存技术中，这导致了市场[.．.]
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2019年5月21日
发表的Pradeep Nanja 在2019年5月21日
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3D NAND闪存制造中硅片斜面缺陷的挑战和解决方案

随着半bob官方网站平台导体技术规模的缩小，3D NAND闪存的工艺集成复杂性和缺陷也在增加，部分原因是由于更大的堆栈沉积和晶圆之间的厚度变化[.．.]
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2019年2月4日,
楔形切割和原理图- 3D NAND器件
发表的蒂莫西·杨 在2019年2月4日,
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提高3D NAND闪存密度的创新解决方案

3D NAND闪存使新一代非易失性固态存储成为可能，几乎可以在所有可以想象到的电子设备中使用。3D NAND可以实现超过2D NAND的数据密度[.．.]
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2018年10月12日
3D NAND存储阵列和关键过程挑战(来源:Lam Research)
发表的Coventor 在2018年10月12日
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3D NAND:超越96层存储阵列的挑战

与2D NAND技术的扩展实践不同，在3D NAND技术中，降低钻头成本和增加芯片密度的直接方法是添加层。2013年，三星推出了这款手机[.．.]
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2018年7月20日
Coventor-July_2018_blog-Figure5_FDSOI_SG_paper
发表的Sofiane Guissi 在2018年7月20日
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关于FDSOI技术你需要知道的一切- FDSOI的优点、缺点和应用

本博客是对FDSOI技术的技术和业务回顾的总结。点击这里阅读全文。在过去的几十年里，晶体管的特征尺寸不断缩小，领先[.．.]
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2018年1月17日
FD-SOI晶体管的基本截面。(来源:意法半导体)
发表的迈克尔Hargrove 在2018年1月17日
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未来展望:绝缘体上完全耗尽硅(FD-SOI)技术的优势

如果我没记错的话，那是在1989年的器件研究会议上，在一个炎热的晚上，人们讨论了SOI(绝缘体上的硅)技术的潜在优点[.．.]
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2017年12月19日
2017年IEDM论坛演讲人上台
发表的Coventor 在2017年12月19日
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专家们的想法:打造未来5年的半导体技术bob官方网站平台

Coventor最近在2017年IEDM上主办了一个专家小组讨论，讨论我们如何将半导体行业推进到下一代技术。小组讨论了其他方法[.．.]
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2017年11月20日
Delivering-the-Next-5-Years-of-Semiconductor-Technology
发表的Coventor 在2017年11月20日
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交付未来5年的半导体技术bob官方网站平台

新的、先进的半导体加工和建筑技术需要数年的时间来完善和投入生产。与此同时，半导体客户继续要求更快、更小和功能更高的设备。半导体[.．.]
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