2021年9月14日
图3:不同方向漏电流分布。
出版人QingPeng王 在2021年9月14日
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使用虚拟制造评估STI凹槽轮廓控制对先进FinFET器件性能的影响

形状变化是半导体器件制造和定标过程中最重要的问题之一。这些变化会降低芯片成品率和器件性能。可以使用虚拟制造[．..]
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2021年8月19日
图2:使用2个网计算电容的测试结构。2个分开的网分别有6个端口(P1-P6)和4个端口(P7-P10)。
出版人普拉迪普楠迦酒店 在2021年8月19日
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使用simulator3d进行高精度电容分析

Netlist Extraction是一个重要的SEMulator3D®功能，允许用户在流程建模期间提取不同线路和段的寄生电阻和电容。这个详细的电气网表[．..]
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2021年7月20日
出版人迈克尔Hargrove 在2021年7月20日
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向3nm节点及以上迈进:技术、挑战和解决方案

似乎就在昨天，finfet解决了由收缩门长度和静电要求造成的设备缩放限制。finfet的引入始于22纳米[．..]
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2021年6月16日
图3:翅片底部开/关态电流分布(上图无残差;底部数字:有残留)。
出版人QingPeng王 在2021年6月16日
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利用虚拟DOE预测先进FinFET技术的处理窗口和器件性能

随着FinFET器件工艺的不断扩展，微负载控制变得越来越重要，因为它对成品率和器件性能有着重要影响[1-2]。微加载发生在局部蚀刻时[．..]
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2021年5月27日
图2。模拟结果显示了3种不同的蚀刻过程和4种不同的沉积过程
出版人金正勋 在2021年5月27日
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利用虚拟过程库改进半导体制造

人们认为，半导体过程模拟库应该使用一个完善的理论背景，并得到实证数据的有力支持。这在学术研究中可能是真的[．..]
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2021年4月15日
图2。仿真器3d网格生成的模型如图1所示。左:德劳内;中心:标准;右:简单。Delaunay和标准网格的横截面是显示的，但简单网格的完整模型是显示的，因为体积网格是不可访问的，因此没有横断面视图是可能的。
出版人基拉·埃格霍夫·吕格尔 在2021年4月15日
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使用网格连接simulator3d到第三方设计和分析软件

在半导体建模领域，没有任何仿真软件可以做到一切。也就是说，每种技术都有自己的优势——工艺建模、光刻分析和电路设计就是其中的几个例子。[．..]
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2021年3月8日,
图2:构建SSVT-SRAM架构所需的五个模块的描述
出版人本杰明文森特 在2021年3月8日,
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克服下一代SRAM单元架构的设计和工艺挑战

静态随机存取存储器(SRAM)自半导体行业早期以来一直是逻辑电路的关键元素。SRAM单元通常由六个相连的晶体管组成[．..]
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2021年2月22日
图1所示。三种结构的关键工艺步骤比较。
出版人Assawer苏苏 在2021年2月22日
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5纳米及以上finfet的未来:使用组合工艺和电路建模来估计下一代半导体的性能

而触点栅距(GP)和翅距(FP)缩放继续为FinFET平台提供更高的性能和更低的功率，控制RC寄生，实现更高的晶体管性能[．..]
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2021年1月19日
图4。三种不同结构上特定蚀刻工艺库的模拟结果
出版人金正勋 在2021年1月19日
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虚拟半导体工艺评价导论

虚拟工艺库如何加速半导体工艺开发？工艺工程师使用逻辑理论框架结合逻辑工程步骤，开发工程问题的理想解决方案。不幸的是，许多过程[．..]
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2020年12月14日
图2:SEMulator3D在三维结构中识别设备电极，并模拟类似于TCAD软件的设备特征，但不需要耗时的TCAD建模。
出版人Daebin严 在2020年12月14日
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基于虚拟制造的DRAM工艺窗口优化

用于3D存储和逻辑设备的新的集成和模式方案带来了制造和产量方面的挑战。工业的焦点已经从可预测的单元过程的扩展[．..]
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