2021年6月16日
图3:翅片底部开/关态电流分布(上图无残差;底部数字:有残留)。
发表的QingPeng王 在2021年6月16日
类别

利用虚拟DOE预测先进FinFET技术的处理窗口和器件性能

随着FinFET器件工艺规模的不断扩大，微加载控制由于其对成品率和器件性能的显著影响而变得越来越重要[1-2]。微加载发生在局部蚀刻时[．..]
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2020年12月14日
图2:SEMulator3D在三维结构中识别设备电极，并模拟类似于TCAD软件的设备特征，但不需要耗时的TCAD建模。
发表的Daebin严 在2020年12月14日
类别

基于虚拟制造的DRAM工艺窗口优化

用于3D存储和逻辑设备的新的集成和模式方案带来了制造和产量方面的挑战。工业的焦点已经从可预测的单元过程的扩展[．..]
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2020年4月17日
图1。Bin插图(a) Pass， (b) HR， (c) VML， (d) MML， (e) VMO， (f) VMS。
发表的QingPeng王 在2020年4月17日
类别

识别和预防7nm制程失败

器件的成品率高度依赖于正确的工艺目标和制造步骤的变化控制。[．..]
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2019年6月25日
林半导体设备
发表的本杰明·文森特 在2019年6月25日
类别

利用半导体工艺窗口优化控制变异性

为了确保半导体技术开发的成功，工艺工程师必bob官方网站平台须设定晶圆工艺参数的允许范围。必须控制变异性，以使最终制造的器件符合要求的规范。[．..]
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