2020年4月17日

在7nm处识别和防止过程故障

使用故障BIN分类,产生预测和增强屈服装置产量的产量预测和过程窗口优化高度依赖于制造步骤的适当过程靶向和变化控制,[...]
2020年3月24日

使用LITHO /蚀刻建模平台通过图案化均匀性探索EUV抗蚀剂厚度的影响

通过先进节点的Patterning需要极低的关键尺寸(CD)值,通常在30nm以下。控制这些维度是一个严重的挑战,因为存在许多固有的变异来源[...]
2019年7月31日

3D NAND设备的先进图案化技术

由Moore的定律,记忆和逻辑半导体制造商推动,追求较高的晶体管密度,以提高产品成本和性能[1]。在NAND闪光技术中,这导致了市场[...]
2019年6月25日

使用半导体过程窗口优化控制可变性

为确保半导体技术开发成功,过程工程师必须设bob官方网站平台置允许的晶片过程参数范围。必须控制变异性,以便最终制造的设备满足所需规格。[...]
2019年3月21日

利用虚拟制造和先进工艺控制提高SAQP图形成品率

高级逻辑缩放创造了一些困难的技术挑战,包括对高度密集的图案化的要求。IMEC最近通过努力使用金属2(M2)来面临这一挑战[...]
2018年3月21日

提高5 nm半导体节点的图案化产量

工程决策始终是数据驱动的。作为科学家,我们只相信事实而不是直觉或感情。在制造阶段,半导体行业急于提供数据[...]
2018年2月28日

Coventor将设备分析功能添加到Semulator3d 7.0

新功能使SEMULATOR3D 7.0版用于解决进程建模和设备分析,以便更好地了解高级半导体技术开发卡里,NC-2月28日 - 2月26日,bob官方网站平台[...]
2017年12月19日

专家们认为:提供未来5年的半导体技术bob官方网站平台

Coventor最近在IEDM 2017上赞助了专家小组讨论,讨论我们如何将半导体产业推进到下一代技术。小组讨论了替代方法[...]
2017年5月17日

什么驱动Sadp Beol变异性?

直到EUV光刻成为现实,诸如三重滑液蚀刻(Lelele),自对准双重图案化(SADP)等多种图案化技术正在用于满足严格的[...]
2017年4月12日

3D中的光致抗蚀剂形状:了解光致抗蚀剂形状的差异如何显着影响多图案屈服

当在面具上的图案最终是他们想要的模式时,集成商很容易。自对准双图案化等多图案化方案[...]
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