2021年9月14日

利用虚拟制造技术评价STI凹槽轮廓控制对先进FinFET器件性能的影响

形状变化是半导体器件制造和定标过程中最重要的问题之一。这些变化会降低芯片成品率和器件性能。可以使用虚拟制造[...]
2021年7月20日

向3nm节点及以上迈进:技术、挑战和解决方案

似乎就在昨天,finfet解决了由收缩门长度和静电要求造成的设备缩放限制。finfet的引入始于22纳米[...]
2021年6月16日

利用虚拟DOE预测先进FinFET技术的处理窗口和器件性能

随着FinFET器件工艺规模的不断扩大,微加载控制由于其对成品率和器件性能的显著影响而变得越来越重要[1-2]。微加载发生在局部蚀刻时[...]
2021年2月22日

5纳米及以上finfet的未来:使用组合工艺和电路建模来估计下一代半导体的性能

而触点栅距(GP)和翅距(FP)缩放继续为FinFET平台提供更高的性能和更低的功率,控制RC寄生,实现更高的晶体管性能[...]
2020年11月16日,

FinFETs让位于gate -全能

当finfet在22纳米节点首次商业化时,它代表了我们制造晶体管(芯片“大脑”中的微小开关)方式的革命性改变。作为[...]
2019年9月20日

外延工艺变化对FinFET器件性能的影响

由于需要将晶体管缩小到更小的尺寸,对技术设计者的压力持续不断,寄生电阻和电容的影响可能接近甚至超过其他方面[...]
2018年2月28日

Coventor为SEMulator3D 7.0添加了设备分析功能

新功能使SEMulator3D Version 7.0解决过程建模和设备分析,以更好地洞察先进半导体技术发展bob官方网站平台[...]
2017年12月19日

专家们的想法:打造未来5年的半导体技术bob官方网站平台

Coventor最近在2017年IEDM上主办了一个专家小组讨论,讨论我们如何将半导体行业推进到下一代技术。小组讨论了其他方法[...]
2014年7月3日,

连接虚拟晶圆制造建模与器件级TCAD仿真

大多数过程/设备模拟工具都是基于tcad的。我的意思是,它们共享一个连接过程模拟器和设备模拟器的公共平台,通常使用相同的网格结构。[...]
2014年3月16日,

FinFET 3D打印模型在SPIE大会上备受关注

从家庭爱好者到高端工业应用,3D打印已经在许多领域风靡一时。3D打印的便利性、灵活性、功能性和降低的价格使得3D打印成为可能[...]
请求演示