2020年12月14日
  Figure 2:  SEMulator3D identifies device electrodes in a 3D structure and simulates device characteristics similar to TCAD software, but without the need for time-consuming TCAD modeling.
由...出版Daebin Yim. 在2020年12月14日
类别

虚拟制造过程窗口优化DRAM

3D存储器和逻辑设备中使用的新集成和图案化方案创造了制造和产生挑战。工业焦点已从可预测单元流程的缩放转向[...]
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10月23日2020年
图6：在不同的侧壁角分裂处从翅片表面到翅片中心的沟道泄漏轮廓。
由...出版青鹏王 在10月23日2020年
类别

微载荷及其对器件性能的影响：在高级DRAM过程中的Wiggling Active Area案例

在DRAM的结构，基于电容器的存储器单元的充电和放电过程是直接由晶体管控制[1]。随着晶体管尺寸接近物理实现性的下限，制造[...]
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2020年1月29日
图。图1（a）DRAM存储器单元，（b）在细胞晶体管中的GID1，（c）BLC和SNC之间的介电泄漏，（D）DRAM电容器的介电漏电
由...出版泰妍哦 在2020年1月29日
类别

识别由漏电流和寄生电容引起的DRAM故障

漏电流是DRAM设计中器件故障的主要原因，从20nm技术节点开始。DRAM设计中漏电流的问题可能导致可靠性[...]
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