2020年4月17日

识别和预防7nm制程失败

器件的成品率高度依赖于正确的工艺目标和制造步骤的变化控制。[...]
2017年10月18日

利用气隙降低BEOL寄生电容

减少线后端(BEOL)互连寄生电容一直是先进技术节点发展的重点。多孔低k介质材料已被用于实现降低电容,然而,这些材料仍然是脆弱的[...]
2017年5月17日

是什么驱动SADP BEOL变异性?

在EUV光刻成为现实之前,三重光刻(LELELE)、自对准双光刻(SADP)和自对准四重光刻(SAQP)等多种图形技术正在被用于满足严格的要求[...]
2017年4月12日,

三维光刻胶形状:了解光刻胶形状的微小变化如何显著影响多图案产量

对于集成商来说,当他们在掩模上的模式最终变成了他们想要在芯片上的模式时,事情就变得容易了。多模式模式,如自对齐双模式[...]
2017年2月13日

Coventor揭示了光刻加工提高半导体可扩展性和性能的新科学发现

在2017年SPIE Advanced Lithography大会上,Coventor将展示提高下一代半导体器件密度和产量的研究结果[...]
2016年12月15日

BEOL路障:导航未来的产量,可靠性和成本挑战

Coventor最近在2016年IEDM上组建了一个专家小组,讨论BEOL工艺技术的变化将需要继续尺度扩展到7纳米或更低。我们[...]
2016年6月14日

IMEC合作伙伴技术周回顾

2016年3月,Coventor受邀参加在比利时鲁汶举行的两年一度的IMEC合作伙伴技术周(PTW)。IMEC是世界领先的纳米技术研究集团,[...]
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