2019年7月31日
狭缝和沟道孔在不同节点的俯视图
发表的玉德陈 在2019年7月31日
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3D NAND器件的高级模式设计技术

在摩尔定律的驱动下，存储和逻辑半导体制造商追求更高的晶体管密度，以提高产品成本和性能[1]。在NAND闪存技术中，这导致了市场[．..]
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2019年5月21日
发表的Pradeep Nanja 在2019年5月21日
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3D NAND闪存制造中硅片斜面缺陷的挑战和解决方案

随着半bob官方网站平台导体技术规模的缩小，3D NAND闪存的工艺集成复杂性和缺陷也在增加，部分原因是由于更大的堆栈沉积和晶圆之间的厚度变化[．..]
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2019年2月4日,
楔形切割和原理图- 3D NAND器件
发表的蒂莫西·杨 在2019年2月4日,
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提高3D NAND闪存密度的创新解决方案

3D NAND闪存使新一代非易失性固态存储成为可能，几乎可以在所有可以想象到的电子设备中使用。3D NAND可以实现超过2D NAND的数据密度[．..]
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2018年10月12日
3D NAND存储阵列和关键过程挑战(来源:Lam Research)
发表的Coventor 在2018年10月12日
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3D NAND:超越96层存储阵列的挑战

与2D NAND技术的扩展实践不同，在3D NAND技术中，降低钻头成本和增加芯片密度的直接方法是添加层。2013年，三星推出了这款手机[．..]
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2018年2月28日
SEMulator3D 7.0新增功能:强大的新流程和设备模拟功能
发表的Coventor 在2018年2月28日
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Coventor为SEMulator3D 7.0添加了设备分析功能

新功能使SEMulator3D Version 7.0解决过程建模和设备分析，以更好地洞察先进半导体技术发展bob官方网站平台[．..]
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2017年12月19日
2017年IEDM论坛演讲人上台
发表的Coventor 在2017年12月19日
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专家们的想法:打造未来5年的半导体技术bob官方网站平台

Coventor最近在2017年IEDM上主办了一个专家小组讨论，讨论我们如何将半导体行业推进到下一代技术。小组讨论了其他方法[．..]
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2015年3月12日,
3D NAND闪存阵列的示例。
发表的桑迪温 在2015年3月12日,
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3D NAND Flash中的缺陷演化

近年来，3D NAND闪存已成为非易失性存储器领域的热门话题。虽然平面NAND闪存仍在强劲发展，但扩大平面技术的规模已经越来越困难[．..]
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2014年5月23日
基于TCAT[1]的3D NAND闪存阵列，每串16个单元，上栅选择层和下源选择层。
发表的Coventor 在2014年5月23日
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3D NAND Flash处理的挑战

随着2D平面NAND闪存在低于20nm的技术节点上遇到缩放问题，3D NAND闪存已经风靡一时。而不是把存储单元限制在一个平面上[．..]
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2013年9月29日,
发表的大卫炸 在2013年9月29日,
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我们什么时候能得到3D NAND闪存?

3D NAND Flash，公认的“存储技术的未来”，是时候不再是未来，而是现在了。这些概念都有意义。DRAM扩展[．..]
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