2019年7月31日

3D NAND器件的高级模式设计技术

在摩尔定律的驱动下,存储和逻辑半导体制造商追求更高的晶体管密度,以提高产品成本和性能[1]。在NAND闪存技术中,这导致了市场[...]
2019年5月21日

3D NAND闪存制造中硅片斜面缺陷的挑战和解决方案

随着半bob官方网站平台导体技术规模的缩小,3D NAND闪存的工艺集成复杂性和缺陷也在增加,部分原因是由于更大的堆栈沉积和晶圆之间的厚度变化[...]
2019年2月4日,

提高3D NAND闪存密度的创新解决方案

3D NAND闪存使新一代非易失性固态存储成为可能,几乎可以在所有可以想象到的电子设备中使用。3D NAND可以实现超过2D NAND的数据密度[...]
2018年10月12日

3D NAND:超越96层存储阵列的挑战

与2D NAND技术的扩展实践不同,在3D NAND技术中,降低钻头成本和增加芯片密度的直接方法是添加层。2013年,三星推出了这款手机[...]
2018年2月28日

Coventor为SEMulator3D 7.0添加了设备分析功能

新功能使SEMulator3D Version 7.0解决过程建模和设备分析,以更好地洞察先进半导体技术发展bob官方网站平台[...]
2017年12月19日

专家们的想法:打造未来5年的半导体技术bob官方网站平台

Coventor最近在2017年IEDM上主办了一个专家小组讨论,讨论我们如何将半导体行业推进到下一代技术。小组讨论了其他方法[...]
2015年3月12日,

3D NAND Flash中的缺陷演化

近年来,3D NAND闪存已成为非易失性存储器领域的热门话题。虽然平面NAND闪存仍在强劲发展,但扩大平面技术的规模已经越来越困难[...]
2014年5月23日

3D NAND Flash处理的挑战

随着2D平面NAND闪存在低于20nm的技术节点上遇到缩放问题,3D NAND闪存已经风靡一时。而不是把存储单元限制在一个平面上[...]
2013年9月29日,

我们什么时候能得到3D NAND闪存?

3D NAND Flash,公认的“存储技术的未来”,是时候不再是未来,而是现在了。这些概念都有意义。DRAM扩展[...]
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