德拉姆

动态随机存取存储器(DRAM)是一种高效,高性能的内存解决方案,可以在大多数现代电子设备中找到,例如笔记本电脑,服务器,显卡,消费者产品和移动设备。bob娱乐官网入口每个DRAM单元是由附接到晶体管的电容器的构成,并且需要周期性刷新以保持其存储状态。通过DRAM细胞密度和包装的创新,DRAM芯片容量随着时间的推移,随着时间的推移,随着时间的推移,随着时间的推移,每比特的DRAM价格下降)。这一成功的大部分都可以归因于创新的光刻,图案化和制造技术,使得能够增加DRAM密度。

Semulator3D可用于模拟过程变化对创新DRAM设备结构的影响。例如,可以基于诸如蚀刻材料选择性或蚀刻通量分布的过程变化来分析DRAM电性能。此页面包含一个简单的案例研究,突出了DRAM几何对电性能和产量的影响。

使用公共数据,在Semulator3D中为2x DRAM建立了标称校准的过程流程。然后使用该过程流动来产生设备技术的3D预测结构表示(图1)

DRAM设备建模

图1:Semulator3D开发的2X DRAM进程流程

电气设备仿真

配置模型后,进行电气分析。该过程流动在电容器触点(CC)处结束,这足以使电容器中的电气分析和研究边缘效应能够实现。

DRAM电气建模

图2:基于Semulator3D过程模型的DRAM电气模型

Semulator3D识别3D结构中的设备端口和电极,并模拟设备特性,例如温度,带隙和电子/空间移动性。我们可以自动提取感兴趣的指标,例如阈值电压(Vth),子阈值斜率,漏极引起的屏障降低(DIBL)和电流(I))在电压点处,并且执行电压扫描,如所示的那些图2.。电气分析考虑了对设备性能的实际3D过程效应。

几何变化的影响

然后我们可能会看到DRAM器件几何形状的变化对电性能的影响。我们从一个名义模型开始(图3,左)含有靶向硬掩模CD / TOP CD,硅深度和氧化物深度。然后,Semulator3d可以使用这些标称装置几何值并提取所产生的设备的电气特性,包括VT,I, 一世离开改变几何形状下的子阈值斜率。

DRAM设备几何变化和对电性能的影响

图3:DRAM设备几何变化和对电性能的影响

接下来,我们选择硬掩码(顶部)CD作为我们的研究参数。我们以2 nm增量将硬掩模CD从12nm到30nm变化,同时监测剩余的结构参数,例如硅深度和氧化物蚀刻。通过在过程流程早期改变蚀刻工艺步骤来进行这种改变。下游流程步骤可预测模型内的这些变化。

图3(右)HardMask CD中的更改突出显示了非线性电气响应。氧化物深度和顶部硅深度在较小的Cds下对顶部CD敏感,但在较大的Cds下饱和。另一方面,VTSAT随着标称20nm值高于上方的CD而显着增加。Semulator3D DRAM模型显示复杂的电气设备对几何中的单个变化的响应。这种类型的分析提供了具有强大工具的工程师,以研究建议的几何形状或过程变化对DRAM性能的影响。

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