半导体解决方案:记忆

先进的存储技术要求使用越来越复杂的器件结构和制造技术。例如,NAND内存密度通过增加垂直NAND内存堆栈中的层数而扩大。堆叠高度的增加需要使用高纵横比蚀刻制造,并在楼梯高度、内存密度、足迹缩放和其他因素之间进行权衡。独特的集成和模式方案已被用于解决这些可伸缩性挑战,但在实现所需产量的同时,很难满足设计规则。

通过提供对复杂流程序列的3D理解,可以使用SEMulator3D主动解决这些挑战和权衡。可以快速分析处理步骤之间的非直观交互,以及它们对存储设备性能的影响。

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