半导体解决方案:内存

先进的内存技术要求使用日益复杂的设备结构和制造技术。例如,NAND内存密度通过增加垂直NAND内存堆栈中的层数来缩放。堆叠高度的这种增加需要使用高纵横比蚀刻制造,并在楼梯高度,内存密度,脚印缩放等因素之间施加折衷。已经采用独特的集成和图案化方案来解决这些缩放挑战,但设计规则难以实现所需产量。

通过提供对复杂过程序列的3D理解,可以使用Semulator3D主动解决这些挑战和权衡。可以快速分析过程步骤之间的非直观交互及其对存储器设备性能的影响,可以快速分析。

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