白皮书:SVT(六叠垂直晶体管)SRAM单元结构介绍:设计和工艺挑战评估

本文提出了一种先进逻辑SRAM单元的新设计架构，它使用了六个垂直晶体管(沿Z方向载流子传输)，一个接一个地堆叠在一起。虚拟制造技术被用于识别不同的工艺集成方案，以使这种架构在先进的逻辑节点上具有竞争性的XY足迹:在这项工作中，单元单元面积为0.0093 um2。这项研究表明，虚拟制造可以成为技术寻径的关键因素，它可以用于确定预期的模块开发挑战之前的磁带或晶圆加工。

B. Vincent, J. Ervin，“SSVT(六叠垂直晶体管)SRAM单元架构:设计和工艺挑战评估”，Proc. SPIE 11614, design - process - technology Co-optimization XV, 116140E(2021年2月22日);doi: 10.1117/12.2583414