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白皮书:使用虚拟制造的设备性能的过程变化分析 - 在CMOS 14-NM FinFET车辆上演示的方法论

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证明了一种新的方法来评估制造固有过程变异性对14-NM鳍场效应晶体管(FinFET)器件性能的影响。使用虚拟设备制造和测试构建FinFET设备的模型。随后,在有限数量的加工Fab晶片上收集的实验角案例数据的设计,该模型随后校准。然后,我们执行了400个虚拟实验,该虚拟实验包括七种过程变化。使用这种虚拟制造技术,我们能够识别用于高温后的最小栅极 - 源极/漏极间隔厚度,用于高温后的高温热退火(RTA)退火过程,其避免了设备亚阈值斜率损失。该模型允许我们在源/漏极外延之前确定最佳SI次址深度目标和过程窗口。我们通过审查设备性能作为统计过程敏感性的函数来获得这些结果,并突出显示需要变化控制的关键过程参数。由于每个过程参数运行400个工厂的工艺变化实验的时间,成本和设备要求,这些实验在实际FAB中的执行是不切实际的。该方法可用于避免在早期技术开发期间基于晶圆的测试。

DOI:10.1109 / TED.2020.3027528

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