白皮书:使用统计模型作为标准MEMS设计流程的一部分的新进展

本文介绍了在MEMS设计中使用统计模型的好处，通过虚拟再现测试结构来测量光束的拉入电压。这种电测量被用作生产晶圆的过程质量的功能指标。我们的研究使用MEMS工艺设计工具包包括工艺参数的统计变化(材料性能、硅厚度、侧壁角度和由于蚀刻公差造成的边缘位移)。该统计数据用于蒙特卡罗模拟，以评估预期制造变异性对我们测试结构性能的影响。