图3:Fin底部的开/关电流分布(顶部图:无残留;底部图:残留物)。
聚拐角蚀刻残渣对高级FinFET器件性能的影响
2021年6月16日

白皮书:评估STI凹陷配置对高级FinFET设备性能的影响

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在本文中,使用了一个5nm finfet流量使用semulator3d.®虚拟制造平台。使用Semulator3D的模式依赖性蚀刻能力来研究不同的STI(浅沟槽隔离)凹陷型材,包括挖沟/脚轮廓,翅片高度和不平衡翅片高度的变化。然后使用内置漂移扩散求解器研究了STI凹陷轮廓对器件性能的影响。我们的分析证实,较大的基础,较低的翅片高度和更大的不平衡翅片高度将产生更严重的DIBL问题并导致更高的离子泄漏。具有最佳挖沟轮廓的STI凹槽可以增加导通电流并减少离子泄漏。

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