图3:翅片底部开/关态电流分布(上图无残差;底部数字:有残留)。
聚角蚀渣对先进FinFET器件性能的影响
2021年6月16日

白皮书:评估STI凹槽轮廓控制对先进FinFET设备性能的影响

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在本文中,利用fet的5nm流动SEMulator3D®虚拟制造平台。利用SEMulator3D的模式相关蚀刻能力,研究了不同的STI(浅沟槽隔离)凹槽轮廓,包括沟槽/基脚轮廓、鳍高度和不平衡鳍高度的变化。然后利用内置的漂移扩散求解器研究了STI凹槽形状对器件性能的影响。我们的分析证实,更大的底脚、更低的鳍高度和更大的鳍高度不平衡将产生更严重的DIBL问题,并导致更高的off-state泄漏。具有最佳沟槽轮廓的STI凹槽可以增加通态电流,减少关态泄漏。

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