定向自组装模式是否为14nm DRAM？

但首先，更普遍的是，定向自组装(DSA)是否会与极紫外(EUV)光刻技术和下一代多模式技术相结合，为下一代存储和逻辑技术创造模式?2015年奥运会的组织者呼吁群众的智慧1.^圣国际DSA研讨会最近对与会者进行了调查，近75%的人认为DSA将在未来5年内进入大批量生产，近30%的人预计在未来2年内进入大批量生产。什么是门控插入？群众对他评价很高defectivity是DSA面临的最关键的问题。这一事实增加了内存的重量，成为第一个与DSA模式。这是因为，正如IMEC的Roel Gronheid上个月在高级光刻在会议[1]中，内存芯片可以通过冗余容忍单个失效单元，因此可以容忍更高的图案缺陷（大约1个缺陷/cm）^2.相对于0.01缺陷/cm^2.用于逻辑）。DSA的缺陷率还不存在（根据公共信息），但正在迅速接近[2]，[3]。

下一个最重要的限制插入问题是整合与会的独立设备制造商(IDMs)表示。换句话说，用DSA替代当前的图形加工过程将如何影响整个器件的成品率?为了回答这个问题，Coventor的一个团队开始对DRAM技术的一个产量敏感指标进行定量研究。我们在上个月的会议上展示了我们的进展高级光刻会议。幻灯片演示可以根据要求提供，论文很快就会出现。

我们所做的就是申请虚拟织物电离基于公开可用数据创建14nm DRAM技术模型，线性投影至14nm尺寸。我们用193i多重图案化和DSA检查了两个临界图案化水平，并比较了对晶体管源/漏和电容触点之间的界面面积的影响。该界面是在激活区域（见下图）图案化后的许多步骤中创建的，因此如果没有制作（虚拟或实际），很难预测。在我们基于193i的标准14nm DRAM技术中，有源区采用自对准四重图案化（SAQP）进行图案化，电容器采用4道石刻（LE）进行图案化^4.)。然后，我们创建了一个替代工艺流程和DRAM结构，使用4x乘法将SAQP步骤替换为行DSA[5]，并使用类似于[6]的DSA流程替换六边形填充电容器图案。下图显示了使用DSA的活动区域图案的影响，本文随后继续。

上图所示的界面区域是非常非平面的，对于SAQP，由于俯仰行走，相邻触点之间的界面区域变化很大。但处理变化的鲁棒性如何？为了进行评估，我们自动创建了一系列28个结构，表示光刻曝光、沉积厚度和过度/欠刻蚀的2s变化。每一个结构在一台4核笔记本电脑上构建大约需要1个小时。然后，我们使用虚拟计量来自动测量接口面积。下图显示的结果显示SAQP的变化远大于DSA。这在很大程度上是意料之中的，因为SAQP需要更多的过程步骤，每个步骤都有自己的变化。

群众提到的另一个关键问题是图案粗糙度。众所周知，DSA的线边/线宽粗糙度(LER/LWR)高于SAQP。我的同事最近展示了在SPIE[7]处LER/LWR通过SAQP流的演变，下面可以看到与LER的DSA LiNe图。在上述研究中加入LER将提高其准确性，是一个未来的研究课题。

参考文献

[1] R.Gronheid等，“DSA在逻辑和内存方面的机遇和挑战（特邀）”，在加利福尼亚州圣何塞市的SPIE高级光刻展上发表，2016年。
[2] H. Pathangi等，“14nm半距化学外延定向自组装流水线中的缺陷缓解和根本原因研究”，微纳米光刻MEMS MOEMS，第14卷，第3期，2015年。http://dx.doi.org/10.1117/12.2047265
[3] M.Somervell等人，“将DSA推进批量生产”，2015年，第94250Q页。http://dx.doi.org/10.1117/12.2085776
[4] M.Kamon等人，“在14nm DRAM中使用定向自组装进行工艺优化的虚拟制造”，年Proc。学报9777, 2016年。
[5] C.-C.Liu等人，“光刻定义的化学图案聚合物刷和垫的制造，”大分子，第44卷，第5期。第7页，1876-1885页，2011年4月。http://dx.doi.org/10.1021/ma102856t
[6] A. Singh, et al，“ArFi预模式引导的化学外延DSA接触孔的亚25nm半间距六方阵列”，2015,p. 94250X。另外:https://www.jstage.jst.go.jp/article/photopolymer/28/5/28_623/_pdf
[7] J.Gu，D.Zhao，V.Allampalli，D.Faken，K.Greiner和D.Fried，“使用三维虚拟制造预测SAQP中的LER和LWR”，年间谍程序9782, 2016年。