这不是你父亲的tcad

当我开始我的半导体职业时，在季度微米CMOS中，技术发展的工作非常不同。我们基本上知道如何制造晶体管和互连。该结构定义得很好，每一代我们都开始缩放一些关键参数，然后重置设备。

这并不是说缺乏创新。该行业正在转换为BEOL的铜和我们中的一些人来到SOI基板，这代表了显着的整合，材料和可靠性挑战。

但是，除了那些“大票”的变化之外，过程和整合就足够稳定，大部分发展努力落在了设备工程上。植入物和退火中存在最大的过程自由度。我们花了巨大的时间和资源运行和分析植入物分裂实验，抓住了最后2-3％的驱动电流并拨打了泄漏的最后10-20na。因此，TCAD设备模拟绝对必要。大多数过程变化足够小，相对于目标尺寸在很大程度上被忽略，因此TCAD结果可以直接引导植入物和退火过程决策。

近年来，钟摆已经摆动。Fabless-Foughtry Model举办了持有，现在公司能够产生技术首先赢得业务。最后2-3％的性能或10-20NA的泄漏电流通常在制造周期中排序，长期后，在供应商业务决策之后。

坦率地说，大多数铸造都开始早期制造客户零件，而该技术的性能明显低于目标，以获得收益率斜坡发起。与此同时，技术在结构上得多得多，更复杂，现在的过程变化与标称技术尺寸相同的数量级。目前技术发展的挑战是结构整合。铸造厂家浪费了结构集成实验的无管理量资源，将昂贵的晶片送入Fab，以确定制造流量。

由于所有这些因素，过程建模已经比设备TCAD更为严重。了解许多过程的复杂交互，特别是在新的3D几何形状中，对于开发制造准备的集成流程是必不可少的。开发工程师需要能够检查预测环境中的过程变化的分析工具。无数的过程参数需要建模平台，可以在短时间内探索大量的可能性。

新品种这些工具，包括Coventor的Semulator3D，答案，这些需求正面，没有与设备工程TCAD框架相关的负担。Semulator3D在FAB试验和误差晶片实验中的时间和成本的小分数中产生集成的设计感知3D过程模型。