semulator3d 5.0 - 它即将到来!!!

这是Coventor今年最受欢迎的一年：我们即将做出举例的另一个主题3D。开发人员正在冲刺到终点线，客户对最新功能感到沮丧。我想开始谈论semulator3d 5.0的新功能，但一个博客当然不会覆盖它。让我们开始开始，我们会尽多次会这样做。

此Semulator3D版本包含新功能的Jam。用户将注意的第一件事是所有新的流程编辑器用户界面。但是，坐在新的UI之下是一堆新的过程模型。首先，我们完全重新加工了离子植入和扩散模型，以提供过程预测掺杂剂应答。通过这种变化，我们还将掺杂功能添加到我们的沉积和外延模型上。并且，为了可视化所有这些新的兴奋剂功能，我们重新建立了具有掺杂剂浓度可视化功能的3D查看器。在另一个重要的变化中，我们已经将新功能添加到蚀刻和沉积模型中，以考虑源可见性，阴影和轴外处理。在此之外，开发巫师对建模引擎进行了性能改进，改进了虚拟计量和结构搜索中的数据收集功能，添加到Expeditor批量执行引擎的DoE功能，并添加了一堆新铃声和3D观众的吹口哨。只是试图写下这个都很困难！

对于一个博客来说，这只是一个太多的特征内容......所以让我们从全新的掺杂功能开始。

要清楚，此版本并不意味着替代传统TCAD可以提供的植入物理的长周期时间模拟。然而，先进的半导体技术开发中的许多挑战不需要传统的TCAD建模。bob官方网站平台在Semulator3D 5.0中，我们提供了新的植入模型，用于捕获3D中任何植入物种的倾斜，扭曲，范围，挥手和横向磨牙。我们还添加了一种新的扩散模型，以易于校准的方案捕获热掺杂剂扩散。通过这两种新型号，技术开发人员将快速且容易地评估掺杂剂浓度的灵敏度，以处理变化和集成变化。这种类型的快转扭转3D过程建模可以提供简化高级半导体节点中的日常技术开发决策所需的大数据类型。就像潜行的偷看一样，我通过Semulator3d 5.0跑了我们的Coventor内部20nm平面CMOS SRAM示例，通过流量看，在FET中看到掺杂，包括井植入和退火，卤素植入物，原位掺杂的SiGE PFET源/排水管，植入NFET源/漏极和激活RTA。结果如下所示。虽然可视化非常令人印象深刻，但它是处理变化的潜在数据和响应，这将对整个行业的技术开发人员具有重要价值。

好的。我认为这现在就足够了。但我将在Semulator3d 5.0中写一些疯狂的新蚀刻功能。敬请关注！