连接虚拟晶圆制造建模与器件级TCAD仿真
2014年7月3日,
Semicon West吸引了整个价值链来解决3D芯片制造的挑战
2014年7月23日
今天我们正式发布了SEMulator3D 2014.100。通常情况下，我不会对“点发布”如此兴奋，但这显然是最近SEMulator3D内存中最大的临时软件发布。我们为已经处于行业领先地位的虚拟制造平台增加了重要的能力。最近发布的SEMulator3D的许多特性都集中在蚀刻增强上。为了补充这些改进，我们在SEMulator3D 2014.100中提高了其他几个过程模型的预测精度，包括沉积和CMP。
这次发布的亮点是一个新的能见度有限的沉积模型。该模型极大地提高了定向沉积的预测精度，如物理气相沉积(PVD)和其他等离子体增强沉积过程。与SEMulator3D中的其他流程模型一样，我们使用一组简化的流程参数简化了该流程的实现和校准。这个能见度有限的沉积模型的关键特征是“源σ”，反映了沉积过程的方向分布，以及“各向同性比”，反映了沉积过程的非能见度有限成分。这个模型支持各种各样的流程，具有广泛的结果范围。
上述建模结果表明了二维剖面上的过程能力范围，从顶部排非常定向的沉积到底部排更共形的过程。在沉积过程中，不同的源分布也表现出不同的空隙和空隙形状。这种能力将广泛用于最先进的高纵横比器件几何建模，包括DRAM、3D NAND Flash、MEMS和缩放FinFET CMOS。
SEMulator3D 2014.100还包含了一个新的平面化沉积模型，以更准确地反映自旋过程和流动沉积。虽然这些过程意味着提供一个平面的结果，但由于潜在的地形，它们不可避免地保留了一些非平面性。新的平面化沉积模型提供了许多不同材料和过程的预测精度，具有不同的平面化行为。
该模型还考虑沉积过程比底层地形更薄，导致暴露的结构。这种能力将用于模拟若干新颖的高纵横比填充过程以及在仍在等待EUV的半导体过程环境中出现的许多创新的图案化薄膜堆栈。
SEMULATOR3D 2014.100中有几个其他特征，包括一个新的CMP模型，更准确地预测在存在复杂的底层地形的存在中的凹陷和过度波动行为，以及建模性能/精度增强。我们还添加了一个有用的过程比较工具，帮助开发人员准确反映制造过程的流动。
有了这么长一长串的特性和增强功能，很容易理解为什么我对这个临时版本如此兴奋。这些特性满足了我们不断增长的客户的需求，并解决了高级流程中的新复杂性。我迫不及待地想和我们的客户花些时间，利用这些能力来加速他们的技术开发项目!
