2021年7月20日
发表的迈克尔Hargrove 在2021年7月20日
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向3nm节点及以上迈进:技术、挑战和解决方案

似乎就在昨天，finfet解决了由收缩门长度和静电要求造成的设备缩放限制。finfet的引入始于22纳米[．..]
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2020年6月29日
发表的迈克尔Hargrove 在2020年6月29日
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半导体存储器的发展和当前的挑战

最早的全电子存储器是威廉-基尔伯恩管，于1947年由曼彻斯特大学开发。它使用阴极射线管在屏幕表面以点的形式存储比特。[．..]
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2019年4月18日
网表提取的结构组件(左)与端口识别在蓝色。右图是组成R和C的网络表的组件的最终电气集。
发表的迈克尔Hargrove 在2019年4月18日
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连接晶圆级寄生提取和Netlisting

半导体技bob官方网站平台术仿真世界通常分为器件级TCAD(技术CAD)和电路级紧凑型建模。较大的EDA公司提供高级的设计模拟工具来执行LVS(布局vs。[．..]
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2018年8月16日
Y-splitter光学特性的第三方软件建模。
发表的迈克尔Hargrove 在2018年8月16日
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硅光子学综述:利用过程模拟设计硅光子学器件

随着摩尔定律(Moore’s Law)的快速终结，或者用一些人的话说，“已经到来”，旧技术的新应用正在引起人们的关注。一个特别感兴趣的领域是[．..]
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2018年4月17日
基本工艺流程和结构构建的16nm RAM单元(左)，裁剪的net下拉装置和结果DUT(右)。
发表的迈克尔Hargrove 在2018年4月17日
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基于晶圆级工艺建模的晶体管级性能评估

三年前，我写了一篇名为“将虚拟晶圆制造建模与器件级TCAD仿真连接起来”的博客，在博客中我描述了SEMulator3D®虚拟晶圆制造之间的无缝连接[．..]
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2018年1月17日
FD-SOI晶体管的基本截面。(来源:意法半导体)
发表的迈克尔Hargrove 在2018年1月17日
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未来展望:绝缘体上完全耗尽硅(FD-SOI)技术的优势

如果我没记错的话，那是在1989年的器件研究会议上，在一个炎热的晚上，人们讨论了SOI(绝缘体上的硅)技术的潜在优点[．..]
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2017年10月18日
SEMulator3D基于发布的报告创建气隙工艺流。
发表的迈克尔Hargrove 在2017年10月18日
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利用气隙降低BEOL寄生电容

减少线后端(BEOL)互连寄生电容一直是先进技术节点发展的重点。多孔低k介质材料已被用于实现降低电容，然而，这些材料仍然是脆弱的[．..]
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2017年5月17日
发表的迈克尔Hargrove 在2017年5月17日
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是什么驱动SADP BEOL变异性?

在EUV光刻成为现实之前，三重光刻(LELELE)、自对准双光刻(SADP)和自对准四重光刻(SAQP)等多种图形技术正在被用于满足严格的要求[．..]
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2014年7月3日,
发表的迈克尔Hargrove 在2014年7月3日,
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连接虚拟晶圆制造建模与器件级TCAD仿真

大多数过程/设备模拟工具都是基于tcad的。我的意思是，它们共享一个连接过程模拟器和设备模拟器的公共平台，通常使用相同的网格结构。[．..]
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