2021年7月20日

向3nm节点及以上迈进:技术、挑战和解决方案

似乎就在昨天,finfet解决了由收缩门长度和静电要求造成的设备缩放限制。finfet的引入始于22纳米[...]
2020年6月29日

半导体存储器的发展和当前的挑战

最早的全电子存储器是威廉-基尔伯恩管,于1947年由曼彻斯特大学开发。它使用阴极射线管在屏幕表面以点的形式存储比特。[...]
2019年4月18日

连接晶圆级寄生提取和Netlisting

半导体技bob官方网站平台术仿真世界通常分为器件级TCAD(技术CAD)和电路级紧凑型建模。较大的EDA公司提供高级的设计模拟工具来执行LVS(布局vs。[...]
2018年8月16日

硅光子学综述:利用过程模拟设计硅光子学器件

随着摩尔定律(Moore’s Law)的快速终结,或者用一些人的话说,“已经到来”,旧技术的新应用正在引起人们的关注。一个特别感兴趣的领域是[...]
2018年4月17日

基于晶圆级工艺建模的晶体管级性能评估

三年前,我写了一篇名为“将虚拟晶圆制造建模与器件级TCAD仿真连接起来”的博客,在博客中我描述了SEMulator3D®虚拟晶圆制造之间的无缝连接[...]
2018年1月17日

未来展望:绝缘体上完全耗尽硅(FD-SOI)技术的优势

如果我没记错的话,那是在1989年的器件研究会议上,在一个炎热的晚上,人们讨论了SOI(绝缘体上的硅)技术的潜在优点[...]
2017年10月18日

利用气隙降低BEOL寄生电容

减少线后端(BEOL)互连寄生电容一直是先进技术节点发展的重点。多孔低k介质材料已被用于实现降低电容,然而,这些材料仍然是脆弱的[...]
2017年5月17日

是什么驱动SADP BEOL变异性?

在EUV光刻成为现实之前,三重光刻(LELELE)、自对准双光刻(SADP)和自对准四重光刻(SAQP)等多种图形技术正在被用于满足严格的要求[...]
2014年7月3日,

连接虚拟晶圆制造建模与器件级TCAD仿真

大多数过程/设备模拟工具都是基于tcad的。我的意思是,它们共享一个连接过程模拟器和设备模拟器的公共平台,通常使用相同的网格结构。[...]
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