3月8日,2021年

克服下一代SRAM细胞架构中的设计和过程挑战

静态随机存取存储器(SRAM)是半导体行业年龄以来逻辑电路的关键元素。SRAM单元通常由六个连接到的晶体管组成[...]
5月26,2020

将纳米片引入互补场效应晶体管(CFET)

了解2019年11月博客[1]中新的下一代半导体架构的好处和挑战,我们使用虚拟制造(Semulator3D®)讨论了基于基准的不同进程集成选项[...]
3月24日,2020年3月24日

使用LITHO /蚀刻建模平台通过图案化均匀性探索EUV抗蚀剂厚度的影响

通过先进节点的Patterning需要极低的关键尺寸(CD)值,通常在30nm以下。控制这些维度是一个严重的挑战,因为存在许多固有的变异来源[...]
2019年11月20日

下一代CFET过程集成选项的研究

决策是半导体技术发展的关键步骤。bob官方网站平台R&D半导体工程师必须在开发下一代技术的开发时考虑不同的设计和过程选项。建立技术[...]
2019年6月25日

使用半导体过程窗口优化控制可变性

为确保在半导体技术开发中取得成功,过程工程bob官方网站平台师必须设置允许的晶片过程参数的允许范围。必须控制变异性,以便最终制造的设备满足所需规格。[...]
2019年3月21日

使用虚拟制造和先进过程控制提高SAQP图案化产量

高级逻辑缩放创造了一些困难的技术挑战,包括对高度密集的图案化的要求。IMEC最近通过努力使用金属2(M2)来面临这一挑战[...]
2018年6月22日

克服3D逻辑设计挑战的实用方法

如果你的地板上没有足够的空间来存储所有旧盒子,你该怎么办?幸运的是,我们住在3D世界,你可以开始[...]
2018年3月21日

提高5 nm半导体节点的图案化产量

工程决策始终是数据驱动的。作为科学家,我们只相信事实而不是直觉或感受。在制造阶段,半导体行业急于提供数据[...]
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